國產SRAM芯片XM8A51216隨機X型存儲器

發布時間:2020-4-30 15:48    發布者:英尚微電子
關鍵詞: 國產SRAM芯片 , XM8A51216 , 隨機X型存儲器 , 國產SRAM



XM8A51216采用異步SRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術,在大容量、高性能和高可靠及品質方面完全可以匹敵同類SRAM,具有較低功耗和低成本優勢,可以與市面上同類型SRAM產品硬件完全兼容,并且滿足各種應用系統對高性能和低成本的要求,XM8A51216也可以當做異步SRAM使用,稱為新型國產SRAM芯片也不為過,

XM8A51216是基于TLC DRAM(三態 DRAM)和RFDRAM(免刷新DRAM)專利技術而成的新型存儲器。與傳統的DRAM和SRAM不同,

XM8A51216具有以下幾個技術特點:
1、數據讀取速率快于DRAM產品10倍,延時10ns左右;
2、容量覆蓋Megabit到Gigabit;
3、可以節省40%左右的存儲陣列功耗;
4、從用戶端不需要考慮刷新機制,可以隨時訪問。



規格書下載

XM8A51216V33(8M).pdf (719.73 KB)


XM8A51216封裝圖




型號表

Density
PartNumber
BW bit
Vdd
Speed
Package
64Mb
XM8A04M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
64Mb
XM8A08M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(54)/BGA(48)
32Mb
XM8A02M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
32Mb
XM8A04M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A01M16V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/BGA(48)
16Mb
XM8A02M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP1(48)/TSOP2(44)/BGA(48)
8Mb
XM8A51216V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
8Mb
XM8A01M08V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/TSOP1(48)
4Mb
XM8A25616V33A
X16
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)
4Mb
XM8A51208V33A
X8
3.3V
10/12ns
TSOP2(44)/BGA(48)



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英尚微電子 發表于 2020-4-30 15:51:05
規格書下載

XM8A51216.pdf (719.73 KB)
英尚微電子 發表于 2020-5-6 17:11:21
XM8A51216采用異步SRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術,在大容量、高性能和高可靠及品質方面完全可以匹敵同類SRAM,具有較低功耗和低成本優勢,可以與市面上同類型SRAM產品硬件完全兼容
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